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| Speichertyp | Beschreibung |
| ROM | Read-Only Memory (ROM) ist ein nicht-flüchtiger Speicher, der seine Daten auch ohne Stromversorgung behält. Die Daten werden während der Herstellung geschrieben und können danach nicht mehr geändert werden. |
| PROM | Programmable Read-Only Memory (PROM) ist eine Art von ROM, das einmal vom Benutzer programmiert werden kann. Nach dem Programmieren können die Daten nicht mehr geändert werden. |
| EPROM | Erasable Programmable Read-Only Memory (EPROM) kann durch Exposition gegenüber ultraviolettem Licht gelöscht und neu programmiert werden. Es ist wiederbeschreibbar, aber das Löschen und Programmieren erfordert spezielle Geräte. |
| EEPROM | Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) kann elektrisch gelöscht und neu programmiert werden. Im Gegensatz zu EPROM muss EEPROM nicht aus dem Computer entfernt werden, um es zu löschen oder neu zu programmieren. |
| Flash | Flash-Speicher ist eine Art von EEPROM, der in Blöcken gelöscht und neu beschrieben werden kann. Er ist nicht-flüchtig und wird häufig in USB-Sticks, SSDs und Speicherkarten verwendet. |
| SRAM | Static Random-Access Memory (SRAM) ist ein flüchtiger Speicher, der Daten nur hält, solange Strom angewendet wird. SRAM ist schneller als DRAM, aber auch teurer und wird oft als Cache-Speicher verwendet. |
| DRAM | Dynamic Random-Access Memory (DRAM) ist ein flüchtiger Speicher, der häufig als Hauptspeicher in Computern verwendet wird. DRAM muss regelmäßig aufgefrischt werden, um die Daten zu behalten, und ist langsamer, aber kostengünstiger als SRAM. |
flowchart TD
A{Volatil?}
A --> |Nein| B{Beschreibbar?}
B --o |Nicht beschreibbar| D[ROM]
B --> |Beschreibbar| EE{Wie oft <br> beschreibbar}
EE --o |Einmal| PROM[PROM]
EE --> |Mehrmals| E{Löschung <br> durch}
E --o |UV-Licht| F[EPROM]
E --> |elektrisch| G{Kapazität}
G --o |Gering| J[EEPROM]
G --o |Hoch| I[FLASH]
A --> |Ja| C{Statisch <br> vs <br> Dynamisch?}
C --> |Statisch| C2[SRAM]
C --> |Dynamisch| C3[DRAM]
C2 --o C22[L1,L2,L3 ]
C3 --o C32[RAM]